Semiconductor

HPA
(High Pressure Anneal)

Transistor 미세화에 따른 Leakage 제어를 위해, 절연막과 Channel 계면에 존재하는 Silicon Dangling Bond를 고압의 D2 Anneal로 Passivation시키는 장비

Specifications

제품 사양

Wafer Type

300mm

Cassette Type

Foup

Flat Zone

>1000mm

Process

H2 & D2 Anneal

Process Temperature

200℃ ~ 900℃

Process Pressure

Max 30bar

Dual Option

75매 & 125매 Dual Option (생산성 향상)

Fast Cooling

Zone별 Fast Cooling Unit 적용 — Cooling Time 단축 및 Zone간 온도차이 최소화

Gas Flow

Anneal Step에서 Gas No Flow (재료비 절감)

유지보수

하부 Maintenance 구조로 고소안전작업 불필요