R&D | 주식회사 예스티

Overview

기술 경쟁력

예스티는 반도체·디스플레이 전열장비의 독보적 원천기술을 바탕으로 차세대 공정을 위한 신규 장비를 개발합니다.
평택 R&D Center를 중심으로 열처리·정밀 환경제어·수전해(Water Electrolysis) 분야의 핵심 기술을 축적하며,
고객의 니즈에 맞는 안전하고 고효율의 솔루션을 끊임없이 연구합니다.

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열처리 공정

원자층 단위 박막 증착(ALD)부터 고압 Anneal·산화까지, 차세대 반도체·디스플레이 공정을 위한 열처리 원천기술을 연구합니다.

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정밀 환경제어

초저온 칠러와 습도·압력·진공 정밀 제어 기술로 공정 환경의 균일성과 안정성을 확보합니다.

03

수전해 · 그린수소

AEM 방식 수전해 시스템의 효율과 내구성을 높이고, 중소규모부터 MW급 대용량까지 스케일업 기술을 확보합니다.

Semiconductor R&D

HPO (Hi-Pox)

소자의 미세화가 심화됨에 따라 고온에서의 산화막 성장 및 Anneal 진행 시 발생하는 Pattern Collapse·Warpage 등의 부작용을 제어하기 위한 장비입니다.
낮은 공정온도에서도 동일한 효과를 얻기 위해, 고압에서 산화 및 Anneal을 진행합니다.

Wafer / Cassette — 300mm · Foup · Flat Zone >1000mm
공정 — Wet & Dry ox, Anneal
공정온도 / 압력 — 250℃ ~ 900℃ · Max 30bar
장점 — 고압에서의 Wet & Dry ox 가능 · Vacuum & Boat Rotation 기능 탑재
Clean — In-Situ HF Clean 및 DCE Clean 가능
제어 — 고압 ↔ 저압 동시 구현 가능 (Defect 제어에 장점)

01

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Semiconductor R&D

ALD Furnace 개발

온도·압력·유량·기화 장치의 정밀 제어를 통해 원자층 단위의 박막을 증착(ALD)하는 차세대 퍼니스를 개발하고 있습니다.
High-k 유전막 공정의 균일성과 안정성을 확보해 첨단 반도체 공정에 대응합니다.

대응 웨이퍼 — 12″(300mm) · FOUP, Flat Zone 500mm
공정 — High-k ALD (단일막·복합막·다성분계 유전막 증착)
공정온도 — 200 ~ 350℃ · Variable Pitch 6.6 ~ 10mm
공정 소재 — N2 · O3 · ZrO2 · HfO2 · H2O2 · TMA
이송/옵션 — WTR·FTR·FIMS·Loadport / Dry Pump·Plasma·O3 Generator·Scrubber

Display R&D

저진공 PCO

층간 절연 소재(CCL Film)가 도포된 기판에 대해 미세 기포를 제거하고 표면을 경화하는 공정 장비를 연구합니다.
VOID를 최소화하고 접착 강도를 높여 디스플레이 공정의 품질과 신뢰성을 향상시킵니다.

효과 — VOID 최소화 및 접착 강도 증대
Work Size — 510(W) × 515(D) × 0.1 ~ 2.5T
압력 — Max 10kg/㎠ (설계 12 · 수압테스트 13) · 균일도 ±0.1kg/㎠
온도 — Max 220℃ · 균일도 ±3℃ · 승온 4℃/min
진공 — 5Torr / 2min

03

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Green Hydrogen R&D

AEM 수전해 시스템

AEM(음이온 교환막) 방식 수전해 시스템의 효율과 내구성을 높이는 연구를 진행하며, 중소규모부터 MW급 대용량까지 스케일업 기술을 확보하고 있습니다.
재생에너지와 연계한 그린수소 생산으로 탄소중립을 준비합니다.

AEM Multicore (MW급) — 수소생산량 210 Nm³/h · 순도 99.9%(Dryer 사용 시 99.999%)
소비전력 — 1,008kW (4.8kWh/Nm³) · 운전압력 ~35bar · 중량 약 30t
기동 — 수초 이내(Hot) / 30분 이내(Cold)
AEM Cluster (중소규모) — 최대 30 Nm³/h · 소비전력 최대 180kW
Footprint — 2.44 × 6.06 × 2.59 m (20ft 컨테이너)

Innovation

끊임없는 기술 혁신으로
미래 공정의 표준을 만들어갑니다.

연구개발

기술 경쟁력