R&D

研究开发

Scroll to discover
Overview

技术竞争力

YEST以半导体、显示器电热设备领域独有的核心技术为基础,开发面向下一代工艺的新设备。
以平泽R&D Center为中心,不断积累热处理、精密环境控制、水电解(Water Electrolysis)领域的核心技术,
持续研究契合客户需求的安全、高效解决方案。

01
热处理工艺

从原子层薄膜沉积(ALD)到高压退火(Anneal)、氧化,研究面向下一代半导体、显示器工艺的热处理核心技术。

02
精密环境控制

通过超低温冷水机与湿度、压力、真空的精密控制技术,确保工艺环境的均匀性与稳定性。

03
水电解 · 绿色氢能源

提升AEM方式水电解系统的效率与耐久性,确保从中小规模到MW级大容量的规模化技术。

Semiconductor R&D
HPO (Hi-Pox)

随着器件微细化的加剧,本设备用于抑制高温下氧化膜生长及退火(Anneal)过程中产生的图形塌陷(Pattern Collapse)、翘曲(Warpage)等副作用。
为在更低的工艺温度下获得同等效果,在高压下进行氧化及退火(Anneal)。

  • Wafer / Cassette — 300mm · Foup · Flat Zone >1000mm
  • 工艺 — Wet & Dry ox, Anneal
  • 工艺温度 / 压力 — 250℃ ~ 900℃ · Max 30bar
  • 优势 — 可在高压下进行Wet & Dry ox · 搭载Vacuum & Boat Rotation功能
  • Clean — 支持In-Situ HF Clean及DCE Clean
  • 控制 — 可同时实现高压 ↔ 低压(有利于缺陷Defect控制)
HPO (Hi-Pox)01
半导体R&D - 洁净室薄膜沉积研究02
Semiconductor R&D
ALD Furnace开发

通过对温度、压力、流量、汽化装置的精密控制,正在开发以原子层为单位沉积薄膜(ALD)的新一代炉体设备。
确保High-k介电膜工艺的均匀性与稳定性,以应对先进半导体工艺。

  • 适用晶圆 — 12″(300mm) · FOUP, Flat Zone 500mm
  • 工艺 — High-k ALD (单层膜、复合膜、多组分介电膜沉积)
  • 工艺温度 — 200 ~ 350℃ · Variable Pitch 6.6 ~ 10mm
  • 工艺材料 — N2 · O3 · ZrO2 · HfO2 · H2O2 · TMA
  • 传输/选配 — WTR·FTR·FIMS·Loadport / Dry Pump·Plasma·O3 Generator·Scrubber
Display R&D
低真空PCO

研究对涂覆有层间绝缘材料(CCL Film)的基板去除微小气泡并固化表面的工艺设备。
通过最大限度减少VOID并提高粘接强度,提升显示器工艺的质量与可靠性。

  • 效果 — 最大限度减少VOID并提升粘接强度
  • Work Size — 510(W) × 515(D) × 0.1 ~ 2.5T
  • 压力 — Max 10kg/㎠ (设计12 · 水压测试13) · 均匀度±0.1kg/㎠
  • 温度 — Max 220℃ · 均匀度±3℃ · 升温4℃/min
  • 真空 — 5Torr / 2min
显示器R&D - 精密检测研究03
绿色氢能源R&D - AEM水电解研究04
Green Hydrogen R&D
AEM水电解系统

持续研究提升AEM(阴离子交换膜)方式水电解系统的效率与耐久性, 并确保从中小规模到MW级大容量的规模化技术。
通过与可再生能源联动的绿色氢能生产,为实现碳中和做好准备。

  • AEM Multicore (MW级) — 制氢量 210 Nm³/h · 纯度 99.9%(使用Dryer时99.999%)
  • 耗电量 — 1,008kW (4.8kWh/Nm³) · 运行压力 ~35bar · 重量约30t
  • 启动 — 数秒以内(Hot) / 30分钟以内(Cold)
  • AEM Cluster (中小规模) — 最大 30 Nm³/h · 耗电量最大180kW
  • Footprint — 2.44 × 6.06 × 2.59 m (20英尺集装箱)
Innovation

以永不止步的技术革新,
树立未来工艺的标准。