Semiconductor

HPA
(High Pressure Anneal)

トランジスタの微細化に伴うLeakage制御のため、絶縁膜とChannel界面に存在するSilicon Dangling Bondを高圧のD2 AnnealでPassivationさせる装置です。

Specifications

製品仕様

Wafer Type

300mm

Cassette Type

Foup

Flat Zone

>1000mm

Process

H2 & D2 Anneal

Process Temperature

200℃ ~ 900℃

Process Pressure

Max 30bar

Dual Option

75枚 & 125枚 Dual Option (生産性向上)

Fast Cooling

ZoneごとにFast Cooling Unitを適用 — Cooling Time短縮およびZone間の温度差を最小化

Gas Flow

Anneal StepでGas No Flow (材料費削減)

メンテナンス

下部Maintenance構造により高所安全作業が不要