Semiconductor

HPA
(High Pressure Anneal)

为控制Transistor微细化带来的漏电(Leakage),通过高压D2退火(Anneal)对绝缘膜与Channel界面处存在的Silicon Dangling Bond进行钝化(Passivation)的设备

Specifications

产品规格

Wafer Type

300mm

Cassette Type

Foup

Flat Zone

>1000mm

Process

H2 & D2 Anneal

Process Temperature

200℃ ~ 900℃

Process Pressure

Max 30bar

Dual Option

75片 & 125片 Dual Option (提升生产效率)

Fast Cooling

各Zone采用Fast Cooling Unit — 缩短Cooling Time并最小化Zone间温差

Gas Flow

Anneal Step时Gas无流动 (降低材料成本)

维护保养

采用下部Maintenance结构,无需高空安全作业